Media is too big
VIEW IN TELEGRAM
بیاد معلم خوب ما🌷 ...
پنجم آذرماه سالروز درگذشت استاد فقید حوزه الکترونیک قدرت ایران، پروفسور شاهرخ فرهنگی است.
یاد و نام ایشان گرامی باد ...🌷
#مناسبت
⚡️ @UTPowerElec
پنجم آذرماه سالروز درگذشت استاد فقید حوزه الکترونیک قدرت ایران، پروفسور شاهرخ فرهنگی است.
یاد و نام ایشان گرامی باد ...🌷
#مناسبت
⚡️ @UTPowerElec
❤2
آکادمی گروه UTPowerElec برگزار میکند:
⚡️ آموزش کاربردی Altium Designer⚡️
🔺 بر پایه ورژن 2022
🔺 آموزش کاربردی به همراه مثالهای کاربردی
🔸مدرس: مهندس محمد چمرمی
✅ کارشناسیارشد مهندسی برق الکترونیک
✅ مولف کتاب آموزش جامع آلتیومدیزاینر
✅ کارشناس تحقیقوتوسعه شرکت شهابتوشه
⬅️ هزینه ثبتنام : 450 هزارتومان 💵
🌟🌟 امکان ارائه تخفیف 30 درصد در جشنواره ثبتنام زودهنگام! 🌟🌟
✅ سرفصلهای دوره را از اینجا مطالعه کنید!
📢 برای کسب اطلاعات بیشتر و هماهنگی ثبتنام با آیدی @UTPowerElec_Info در ارتباط باشید!
⚡️ @UTPowerElec
⚡️ آموزش کاربردی Altium Designer⚡️
🔺 بر پایه ورژن 2022
🔺 آموزش کاربردی به همراه مثالهای کاربردی
🔸مدرس: مهندس محمد چمرمی
✅ کارشناسیارشد مهندسی برق الکترونیک
✅ مولف کتاب آموزش جامع آلتیومدیزاینر
✅ کارشناس تحقیقوتوسعه شرکت شهابتوشه
⬅️ هزینه ثبتنام : 450 هزارتومان 💵
🌟🌟 امکان ارائه تخفیف 30 درصد در جشنواره ثبتنام زودهنگام! 🌟🌟
✅ سرفصلهای دوره را از اینجا مطالعه کنید!
📢 برای کسب اطلاعات بیشتر و هماهنگی ثبتنام با آیدی @UTPowerElec_Info در ارتباط باشید!
⚡️ @UTPowerElec
❤1
UTPowerElec
❇️ اندازه گیری اسپایک ولتاژ در کاربردهای سوئیچینگ #نکات_کاربردي_الکترونيک_قدرت ⚡️ @UTPowerElec
❇️ اندازه گیری اسپایک ولتاژ در کاربردهای سوئیچینگ
یکی از مسائل مهم برای بررسی مشکلات ناشی از اسپایک ولتاژ در مدارهای الکترونیک قدرت، اندازه گیری درست اسپایک است. با استفاده از روش اندازه گیری نامناسب، مقدار دامنه اسپایک ولتاژ میتواند دارای خطای قابل توجهی باشد. برای این منظور باید به روش صحیح اندازه گیری اسپایک ولتاژ و ملزومات آن توجه نمود.
استفاده از اسیلوسکوپ با پهنای باند کافی از اهمیت بالایی برخوردار است. سیگنال اسپایکی که باید اندازه گیری شود معمولاً دارای dv/dt (زمان خیز) بسیار بالایی است. اگر اسیلوسکوپ دارای پهنای باند خیلی کم باشد، اندازه گیری ها نادرست خواهند بود. توصیه می شود از اسیلوسکوپ هایی با پهنای باند بیشتر از 1 گیگاهرتز استفاده شود.
مرحله بعدی انتخاب پروب مناسب است. بدیهی است که پروب نباید پهنای باند اسیلسکوپ را محدود کند و باید دارای ولتاژ قابل تحمل کافی باشد. این ترکیب سرعت و محدوده ولتاژ کاری می تواند انتخاب پروب را دشوار کند زیرا اکثر پروب های پهنای باند بالا در محدوده ولتاژ پایین هستند. یکی از پروب های پرکاربرد پروب های غیرایزوله با قابلیت تضعیف 100 برابری (x100) است که در کاربردهای الکترونیک قدرت میتوان استفاده نمود.
متأسفانه اکثر پروب ها (حتی پروب های با پهنای باند بالا) با سیم های زمین بلند (معمولاً 4 اینچ سیم سیاه با گیره دندان سوسماری) تحویل داده می شوند. هرگز از این سیم های زمین برای اندازه گیری سیگنالهای فرکانس بالا مثل اسپایک ولتاژ استفاده نکنید.
برای اندازه گیری سیگنال فرکانس بالایی مانند اسپایک ولتاژ همیشه از سیم زمین با حداقل طول ممکن استفاده کنید. شکل داخل پست نمونه ای از روش اندازه گیری با سیم زمین کوتاه شده که دور پروب اصلی پیچیده شده را نشان میدهد.
فارغ از نوع کاربرد، پیروی از دو دستورالعمل ساده در مورد افزایش دقت اندازه گیری سیگنالهایی مانند اسپایک مهم است. اولاً همیشه تا حد امکان پروب را به نقطه ای که میخواهید اسپایک آن را اندازه گیری کنید نزدیک کنید. ثانیاً همیشه تا حد امکان از زمین پروب کوتاه شده همانطور که توضیح داده شد استفاده کنید تا مرجع اندازهگیری شما دارای کمترین خطای اندازه گیری باشد.
#نکات_کاربردي_الکترونيک_قدرت
⚡️ @UTPowerElec
یکی از مسائل مهم برای بررسی مشکلات ناشی از اسپایک ولتاژ در مدارهای الکترونیک قدرت، اندازه گیری درست اسپایک است. با استفاده از روش اندازه گیری نامناسب، مقدار دامنه اسپایک ولتاژ میتواند دارای خطای قابل توجهی باشد. برای این منظور باید به روش صحیح اندازه گیری اسپایک ولتاژ و ملزومات آن توجه نمود.
استفاده از اسیلوسکوپ با پهنای باند کافی از اهمیت بالایی برخوردار است. سیگنال اسپایکی که باید اندازه گیری شود معمولاً دارای dv/dt (زمان خیز) بسیار بالایی است. اگر اسیلوسکوپ دارای پهنای باند خیلی کم باشد، اندازه گیری ها نادرست خواهند بود. توصیه می شود از اسیلوسکوپ هایی با پهنای باند بیشتر از 1 گیگاهرتز استفاده شود.
مرحله بعدی انتخاب پروب مناسب است. بدیهی است که پروب نباید پهنای باند اسیلسکوپ را محدود کند و باید دارای ولتاژ قابل تحمل کافی باشد. این ترکیب سرعت و محدوده ولتاژ کاری می تواند انتخاب پروب را دشوار کند زیرا اکثر پروب های پهنای باند بالا در محدوده ولتاژ پایین هستند. یکی از پروب های پرکاربرد پروب های غیرایزوله با قابلیت تضعیف 100 برابری (x100) است که در کاربردهای الکترونیک قدرت میتوان استفاده نمود.
متأسفانه اکثر پروب ها (حتی پروب های با پهنای باند بالا) با سیم های زمین بلند (معمولاً 4 اینچ سیم سیاه با گیره دندان سوسماری) تحویل داده می شوند. هرگز از این سیم های زمین برای اندازه گیری سیگنالهای فرکانس بالا مثل اسپایک ولتاژ استفاده نکنید.
برای اندازه گیری سیگنال فرکانس بالایی مانند اسپایک ولتاژ همیشه از سیم زمین با حداقل طول ممکن استفاده کنید. شکل داخل پست نمونه ای از روش اندازه گیری با سیم زمین کوتاه شده که دور پروب اصلی پیچیده شده را نشان میدهد.
فارغ از نوع کاربرد، پیروی از دو دستورالعمل ساده در مورد افزایش دقت اندازه گیری سیگنالهایی مانند اسپایک مهم است. اولاً همیشه تا حد امکان پروب را به نقطه ای که میخواهید اسپایک آن را اندازه گیری کنید نزدیک کنید. ثانیاً همیشه تا حد امکان از زمین پروب کوتاه شده همانطور که توضیح داده شد استفاده کنید تا مرجع اندازهگیری شما دارای کمترین خطای اندازه گیری باشد.
#نکات_کاربردي_الکترونيک_قدرت
⚡️ @UTPowerElec
UTPowerElec
آکادمی گروه UTPowerElec برگزار میکند: ⚡️ آموزش کاربردی Altium Designer⚡️ 🔺 بر پایه ورژن 2022 🔺 آموزش کاربردی به همراه مثالهای کاربردی 🔸مدرس: مهندس محمد چمرمی ✅ کارشناسیارشد مهندسی برق الکترونیک ✅ مولف کتاب آموزش جامع آلتیومدیزاینر ✅ کارشناس…
سرفصلهای_دوره_آموزش_کاربردی_آلتیوم.pdf
348.2 KB
✅ در پاسخ به سوالات متعدد مخاطبان کانال!
💡 سرفصلهای دوره آموزش کاربردی Altium Designer
📢 برای کسب اطلاعات بیشتر و هماهنگی ثبتنام با آیدی @UTPowerElec_Info در ارتباط باشید!
⚡️ @UTPowerElec
💡 سرفصلهای دوره آموزش کاربردی Altium Designer
📢 برای کسب اطلاعات بیشتر و هماهنگی ثبتنام با آیدی @UTPowerElec_Info در ارتباط باشید!
⚡️ @UTPowerElec
#دعوت_به_همکاری
شرکت توان ره صنعت، فعال در حوزه تولید تجهیزات فشار متوسط و فشار ضعیف سیستم توزیع برق، جهت تکمیل نیروی واحد تحقیق و توسعه خود از افراد توانمند در حوزههای زیر دعوت به همکاری می نماید.
الف) طراحی تجهیزات الکترونیک قدرت
شرایط همکاری :
ا) فارغ التحصیلان و دانشجویان ارشد و دکتری مهندسی برق - گرایش الکترونیک قدرت از دانشگاههای برتر کشور
2) همکاری به صورت تمام وقت و پاره وقت
3) تسلط کافی به زیان انگلیسی
4) تسلط به نرم افزارهای الکترونیک قدرت
ب) طراحی تجهیزات مکانیکی
شرایط همکاری :
ا) فارغ التحصیلان و دانشجویان کارشناسی و ارشد مهندسی مکانیک - گرایش های ساخت و تولید و جامدات و طراحی اجزا از دانشگاههای برتر کشور
2) همکاری به صورت تمام وقت و پاره وقت
3) تسلط کافی به زیان انگلیسی
4) تسلط به نرم افزارهای تحلیل و طراحی cad/cam
محل شرکت : تهران، خیابان احمدقصیر، نرسیده به میدان آرژانتین، کوچه دهم بخارست
علاقه مندان جهت ارسال رزومه و اطلاعات بیشتر می توانند از طریق شماره تماس و ایمیل زیر در ارتباط باشند.
☎️ تلفن شرکت : 02188504490
✉️ ایمیل شرکت : [email protected]
⚡️ @UTPowerElec
شرکت توان ره صنعت، فعال در حوزه تولید تجهیزات فشار متوسط و فشار ضعیف سیستم توزیع برق، جهت تکمیل نیروی واحد تحقیق و توسعه خود از افراد توانمند در حوزههای زیر دعوت به همکاری می نماید.
الف) طراحی تجهیزات الکترونیک قدرت
شرایط همکاری :
ا) فارغ التحصیلان و دانشجویان ارشد و دکتری مهندسی برق - گرایش الکترونیک قدرت از دانشگاههای برتر کشور
2) همکاری به صورت تمام وقت و پاره وقت
3) تسلط کافی به زیان انگلیسی
4) تسلط به نرم افزارهای الکترونیک قدرت
ب) طراحی تجهیزات مکانیکی
شرایط همکاری :
ا) فارغ التحصیلان و دانشجویان کارشناسی و ارشد مهندسی مکانیک - گرایش های ساخت و تولید و جامدات و طراحی اجزا از دانشگاههای برتر کشور
2) همکاری به صورت تمام وقت و پاره وقت
3) تسلط کافی به زیان انگلیسی
4) تسلط به نرم افزارهای تحلیل و طراحی cad/cam
محل شرکت : تهران، خیابان احمدقصیر، نرسیده به میدان آرژانتین، کوچه دهم بخارست
علاقه مندان جهت ارسال رزومه و اطلاعات بیشتر می توانند از طریق شماره تماس و ایمیل زیر در ارتباط باشند.
☎️ تلفن شرکت : 02188504490
✉️ ایمیل شرکت : [email protected]
⚡️ @UTPowerElec
#دعوت_به_همکاری
📣📣استخدام مهندس برق-الکترونیک قدرت
🥇گروه اسفا (ESFAgroup.com)برای توسعه دپارتمان الکترونیک قدرت خود به دنبال یک هم-تیمی با انرژی میگردد
✅ مسلط به شبیه سازی، طراحی و ساخت مبدل های الکترونیک قدرت و ادوات مغناطیسی
✅ آشنایی کامل با طراحی برد
✅ آشنایی با برنامه نویسی میکروکنترلر
💪💪 فارغ التحصیلان کارشناسی ارشد الکترونیک قدرت دانشگاه تهران و شریف در اولویت هستند
🏭 محل کار : تهران، امیرآباد شمالی - محیط کار حرفه ای و صمیمی و به دور از حاشیه
حقوق و مزایا : قابل مذاکره بسته به توانایی و تجربه شما
👌👌 امنیت شغلی بالا و قابلیت ارتقا شغلی تا مدیریت دپارتمان الکترونیک قدرت شرکت
📌📌 ارسال رزومه به آیدی تلگرام @ESFA_support
⚡️ @UTPowerElec
📣📣استخدام مهندس برق-الکترونیک قدرت
🥇گروه اسفا (ESFAgroup.com)برای توسعه دپارتمان الکترونیک قدرت خود به دنبال یک هم-تیمی با انرژی میگردد
✅ مسلط به شبیه سازی، طراحی و ساخت مبدل های الکترونیک قدرت و ادوات مغناطیسی
✅ آشنایی کامل با طراحی برد
✅ آشنایی با برنامه نویسی میکروکنترلر
💪💪 فارغ التحصیلان کارشناسی ارشد الکترونیک قدرت دانشگاه تهران و شریف در اولویت هستند
🏭 محل کار : تهران، امیرآباد شمالی - محیط کار حرفه ای و صمیمی و به دور از حاشیه
حقوق و مزایا : قابل مذاکره بسته به توانایی و تجربه شما
👌👌 امنیت شغلی بالا و قابلیت ارتقا شغلی تا مدیریت دپارتمان الکترونیک قدرت شرکت
📌📌 ارسال رزومه به آیدی تلگرام @ESFA_support
⚡️ @UTPowerElec
✅ آشنایی با فناوری Wide Band-Gap
#نکات_کاربردي_الکترونيک_قدرت
#حوزه_هاي_جانبي_الکترونيک_قدرت
#فناوری_های_نوین
⚡️ @UTPowerElec
#نکات_کاربردي_الکترونيک_قدرت
#حوزه_هاي_جانبي_الکترونيک_قدرت
#فناوری_های_نوین
⚡️ @UTPowerElec
UTPowerElec
✅ آشنایی با فناوری Wide Band-Gap #نکات_کاربردي_الکترونيک_قدرت #حوزه_هاي_جانبي_الکترونيک_قدرت #فناوری_های_نوین ⚡️ @UTPowerElec
✅ آشنایی با فناوری Wide Band-Gap
🔸نامگذاری: در این خانواده از قطعات نیمه هادی، از ماده ای استفاده می شود که انتقال الکترون از باند والانس به باند هدایت منجر به مبادله انرژی Band-gap بیشتری می شود. به عنوان مثال دو ماده Silicon Carbide (SiC) و Gallium Nitride (GaN) دارای انرژی Band-Gap معادل 3.3eV و 3.4eV هستند. این عدد به مراتب بیشتر از انرژی Band-Gap معادل 1.1eV در قطعات نیمه هادی مرسوم می باشد که از سیلیکون ساخته شده اند.
✅ این مهم منجر به افزایش ولتاژ شکست دی الکتریک به ۱۰ برابر می شود که مزایای زیر را برای یک قطعه نیمه هادی مبتنی بر SiC نسبت به قطعات مبتنی بر نیمه هادی Si به دنبال دارد.
🔸کلید SiC: با افزایش ولتاژ شکست در قطعات SiC با یک ولتاژ مشخص، می توان ضخامت لایه Drift را کاهش داد. با این کار مقاومت حالت وصل، و در نتیجه تلفات توان کاهش قابل توجه ای خواهد داشت. همچنین علت استفاده از IGBT نیز به محدودیت ولتاژ ماسفت بر می گردد. که با توجه به قابلیت ماسفت های SiC در تحمل ولتاژ بیشتر می توان از ماسفت استفاده کرد که تلفات کلیدزنی به مراتب کمتری نسبت به IGBT دارد.
🔸 دیود SiC: این موضوع درباره دیود PN-Junction نیز به گونه دیگری صدق می کند. به طوری که دیود های شاتکی که با ساختار سیلیکونی محدودیت ولتاژ 200 ولت را داشتند، اکنون می توانند در ترکیب با ماسفت های قدرت استفاده شوند. این دیود ها منجر به کاهش بیشتر تلفات recovery دیود شده و نویز را نیز کاهش می دهد.
✅ جمع بندی: این مزایا در سطح طراحی سیستم، می تواند منجر به یک طراحی با اتلاف توان کمتر و بازدهی بالاتر، تراکم توان بالاتر، فرکانس کلیدزنی بیشتر و دمای کارکرد بیشتر گردد.
#نکات_کاربردي_الکترونيک_قدرت
#حوزه_هاي_جانبي_الکترونيک_قدرت
#فناوری_های_نوین
⚡️ @UTPowerElec
🔸نامگذاری: در این خانواده از قطعات نیمه هادی، از ماده ای استفاده می شود که انتقال الکترون از باند والانس به باند هدایت منجر به مبادله انرژی Band-gap بیشتری می شود. به عنوان مثال دو ماده Silicon Carbide (SiC) و Gallium Nitride (GaN) دارای انرژی Band-Gap معادل 3.3eV و 3.4eV هستند. این عدد به مراتب بیشتر از انرژی Band-Gap معادل 1.1eV در قطعات نیمه هادی مرسوم می باشد که از سیلیکون ساخته شده اند.
✅ این مهم منجر به افزایش ولتاژ شکست دی الکتریک به ۱۰ برابر می شود که مزایای زیر را برای یک قطعه نیمه هادی مبتنی بر SiC نسبت به قطعات مبتنی بر نیمه هادی Si به دنبال دارد.
🔸کلید SiC: با افزایش ولتاژ شکست در قطعات SiC با یک ولتاژ مشخص، می توان ضخامت لایه Drift را کاهش داد. با این کار مقاومت حالت وصل، و در نتیجه تلفات توان کاهش قابل توجه ای خواهد داشت. همچنین علت استفاده از IGBT نیز به محدودیت ولتاژ ماسفت بر می گردد. که با توجه به قابلیت ماسفت های SiC در تحمل ولتاژ بیشتر می توان از ماسفت استفاده کرد که تلفات کلیدزنی به مراتب کمتری نسبت به IGBT دارد.
🔸 دیود SiC: این موضوع درباره دیود PN-Junction نیز به گونه دیگری صدق می کند. به طوری که دیود های شاتکی که با ساختار سیلیکونی محدودیت ولتاژ 200 ولت را داشتند، اکنون می توانند در ترکیب با ماسفت های قدرت استفاده شوند. این دیود ها منجر به کاهش بیشتر تلفات recovery دیود شده و نویز را نیز کاهش می دهد.
✅ جمع بندی: این مزایا در سطح طراحی سیستم، می تواند منجر به یک طراحی با اتلاف توان کمتر و بازدهی بالاتر، تراکم توان بالاتر، فرکانس کلیدزنی بیشتر و دمای کارکرد بیشتر گردد.
#نکات_کاربردي_الکترونيک_قدرت
#حوزه_هاي_جانبي_الکترونيک_قدرت
#فناوری_های_نوین
⚡️ @UTPowerElec
#دعوت_به_همکاری
📣📣 استخدام مهندس برق الکترونیک
🙍🏻♂️فارغ التحصیل مهندس برق الکترونیک آقا
📅 سن : از 22 تا 28 سال
🧩انجام تست بردهای الکترونیکی، تعویض قطعات و پروگرام و تست فانکشن
✅ آشنا با قطعات و مونتاژ DIP و SMD
✅ آشنا با مفاهیم عمومی در مهندسی برق
✅ توانایی کار با ابزار کارگاهی
✅ آشنایی با زبان انگلیسی
🏭🏭 محل کار: تهران، امیرآباد شمالی
💰💰 حقوق و ساعت کار: مطابق وزارت کار و دریافت کارانه از تولید
📌📌 ارسال رزومه به آیدی تلگرام @ESFA_support
⚡️ @UTPowerElec
📣📣 استخدام مهندس برق الکترونیک
🙍🏻♂️فارغ التحصیل مهندس برق الکترونیک آقا
📅 سن : از 22 تا 28 سال
🧩انجام تست بردهای الکترونیکی، تعویض قطعات و پروگرام و تست فانکشن
✅ آشنا با قطعات و مونتاژ DIP و SMD
✅ آشنا با مفاهیم عمومی در مهندسی برق
✅ توانایی کار با ابزار کارگاهی
✅ آشنایی با زبان انگلیسی
🏭🏭 محل کار: تهران، امیرآباد شمالی
💰💰 حقوق و ساعت کار: مطابق وزارت کار و دریافت کارانه از تولید
📌📌 ارسال رزومه به آیدی تلگرام @ESFA_support
⚡️ @UTPowerElec
Forwarded from کانال اطلاع رسانی انجمن الکترونیک قدرت ایران
📚🏆 فراخوان انتخاب پایاننامه برتر حوزه الکترونیک قدرت
انجمن علمی الکترونیک قدرت ايران همزمان با برگزاری چهاردهمین کنفرانس بین المللی فناوری ها و سیستمهای الکترونیک قدرت و محرکه های الکتریکی (PEDSTC2023)، مسابقه انتخاب پایاننامه برتر را در هر سه مقطع کارشناسی، کارشناسی ارشد و دکتری برگزار مینماید. واجدین شرایط شرکت در مسابقه میتوانند با ارسال مدارک توضیح دادهشده در بندهای زیر، در این مسابقه شرکت نمایند.
الف- شرایط شرکت در مسابقه
دانشجویانی که پایاننامه یا رساله آنها مرتبط با حوزه های الکترونیک قدرت می باشد و از تاریخ ۱ دی ماه 1399 تا ۱ دی ماه 1401از پایان نامه/ رساله خود دفاع کرده باشند، میتوانند در مسابقه شرکت کنند. حداقل نمره پایان نامه/رساله برای شرکت در مسابقه 19یا کسب درجه عالی می باشد.
متقاضیان می بایست مدارک زیر را در قالب يک فايل فشرده شده، به اسم دانشجو و دانشگاه محل تحصيل با ساختار FamilynameUniversityname به نشانی [email protected] ارسال نمایند.
1. رزومه کامل
2. متن کامل پاياننامه/ رساله
3. مستندات مربوط به نمره پایاننامه/ رساله و تاریخ دفاع
4. مستندات مربوط به دستاوردهاي پروژه (مقاله، ثبت اختراع، کتاب، جوایز، طرح پژوهشی و ...)
5. توصیهنامه از استاد راهنما که در آن دستاوردهاي پروژه و اسامی تیم راهنمایی پایاننامه/ رساله قید شده باشد.
6. تصویر رسید واریز هزینه ثبت نام به حساب انجمن علمی الکترونیک قدرت ایران
ب- هزینه ثبتنام
اعضای انجمن الکترونیک قدرت ایران: 150 هزار تومان
سایر شرکتکنندگان: 250 هزار تومان
شماره حساب بانک ملت: 8289564646
شماره کارت مجازی متصل به حساب: 6104337640998124
شماره شبا: IR52 0120 0000 0000 8289 5646 46
به نام انجمن علمی الکترونیک قدرت ایران
لازم به ذکر است که آخرین مهلت ارسال کلیه مدارک مورد نیاز پانزدهم دی ماه می باشد.
انجمن علمی الکترونیک قدرت ايران همزمان با برگزاری چهاردهمین کنفرانس بین المللی فناوری ها و سیستمهای الکترونیک قدرت و محرکه های الکتریکی (PEDSTC2023)، مسابقه انتخاب پایاننامه برتر را در هر سه مقطع کارشناسی، کارشناسی ارشد و دکتری برگزار مینماید. واجدین شرایط شرکت در مسابقه میتوانند با ارسال مدارک توضیح دادهشده در بندهای زیر، در این مسابقه شرکت نمایند.
الف- شرایط شرکت در مسابقه
دانشجویانی که پایاننامه یا رساله آنها مرتبط با حوزه های الکترونیک قدرت می باشد و از تاریخ ۱ دی ماه 1399 تا ۱ دی ماه 1401از پایان نامه/ رساله خود دفاع کرده باشند، میتوانند در مسابقه شرکت کنند. حداقل نمره پایان نامه/رساله برای شرکت در مسابقه 19یا کسب درجه عالی می باشد.
متقاضیان می بایست مدارک زیر را در قالب يک فايل فشرده شده، به اسم دانشجو و دانشگاه محل تحصيل با ساختار FamilynameUniversityname به نشانی [email protected] ارسال نمایند.
1. رزومه کامل
2. متن کامل پاياننامه/ رساله
3. مستندات مربوط به نمره پایاننامه/ رساله و تاریخ دفاع
4. مستندات مربوط به دستاوردهاي پروژه (مقاله، ثبت اختراع، کتاب، جوایز، طرح پژوهشی و ...)
5. توصیهنامه از استاد راهنما که در آن دستاوردهاي پروژه و اسامی تیم راهنمایی پایاننامه/ رساله قید شده باشد.
6. تصویر رسید واریز هزینه ثبت نام به حساب انجمن علمی الکترونیک قدرت ایران
ب- هزینه ثبتنام
اعضای انجمن الکترونیک قدرت ایران: 150 هزار تومان
سایر شرکتکنندگان: 250 هزار تومان
شماره حساب بانک ملت: 8289564646
شماره کارت مجازی متصل به حساب: 6104337640998124
شماره شبا: IR52 0120 0000 0000 8289 5646 46
به نام انجمن علمی الکترونیک قدرت ایران
لازم به ذکر است که آخرین مهلت ارسال کلیه مدارک مورد نیاز پانزدهم دی ماه می باشد.
آکادمی گروه UTPowerElec برگزار میکند:
⚡️ آموزش کاربردی Altium Designer⚡️
🔺 بر پایه ورژن 2022
🔺 آموزش کاربردی به همراه مثالهای کاربردی
🔸مدرس: مهندس محمد چمرمی
✅ کارشناسیارشد مهندسی برق الکترونیک
✅ مولف کتاب آموزش جامع آلتیومدیزاینر
✅ کارشناس تحقیقوتوسعه شرکت شهابتوشه
⬅️ هزینه ثبتنام : 450 هزارتومان 💵
🌟🌟 امکان ارائه تخفیف 30 درصد در جشنواره ثبتنام زودهنگام! 🌟🌟
✅ سرفصلهای دوره را از اینجا مطالعه کنید!
📢 برای کسب اطلاعات بیشتر و هماهنگی ثبتنام با آیدی @UTPowerElec_Info در ارتباط باشید!
⚡️ @UTPowerElec
⚡️ آموزش کاربردی Altium Designer⚡️
🔺 بر پایه ورژن 2022
🔺 آموزش کاربردی به همراه مثالهای کاربردی
🔸مدرس: مهندس محمد چمرمی
✅ کارشناسیارشد مهندسی برق الکترونیک
✅ مولف کتاب آموزش جامع آلتیومدیزاینر
✅ کارشناس تحقیقوتوسعه شرکت شهابتوشه
⬅️ هزینه ثبتنام : 450 هزارتومان 💵
🌟🌟 امکان ارائه تخفیف 30 درصد در جشنواره ثبتنام زودهنگام! 🌟🌟
✅ سرفصلهای دوره را از اینجا مطالعه کنید!
📢 برای کسب اطلاعات بیشتر و هماهنگی ثبتنام با آیدی @UTPowerElec_Info در ارتباط باشید!
⚡️ @UTPowerElec
💡 آینده الکترونیک قدرت
1️⃣ نسل 1: ظهور ادوات حالت جامد و معرفی دیود و تریستورها
2️⃣ نسل 2: پیشرفت در فناوری های کنترلی، مباحث مدولاسیون، معرفی کلیدهای با مشخصه کلیدزنی بهتر مثل ماسفت و igbt، معرفی ساختارهای مختلف مبدلهای الکترونیک قدرت و ورود میکروالکترونیک به الکترونیک قدرت
3️⃣ نسل 3: معرفی کلیدهای نیمه هادی پهن باند مثل کلیدهای Sic و Gan
4️⃣ نسل 4: حرکت به سمت طراحی مدارهای با چگالی توان بالا و مجتمع سازی
#نکات_کاربردي_الکترونيک_قدرت
⚡️ @UTPowerElec
1️⃣ نسل 1: ظهور ادوات حالت جامد و معرفی دیود و تریستورها
2️⃣ نسل 2: پیشرفت در فناوری های کنترلی، مباحث مدولاسیون، معرفی کلیدهای با مشخصه کلیدزنی بهتر مثل ماسفت و igbt، معرفی ساختارهای مختلف مبدلهای الکترونیک قدرت و ورود میکروالکترونیک به الکترونیک قدرت
3️⃣ نسل 3: معرفی کلیدهای نیمه هادی پهن باند مثل کلیدهای Sic و Gan
4️⃣ نسل 4: حرکت به سمت طراحی مدارهای با چگالی توان بالا و مجتمع سازی
#نکات_کاربردي_الکترونيک_قدرت
⚡️ @UTPowerElec
UTPowerElec
💡 آینده الکترونیک قدرت 1️⃣ نسل 1: ظهور ادوات حالت جامد و معرفی دیود و تریستورها 2️⃣ نسل 2: پیشرفت در فناوری های کنترلی، مباحث مدولاسیون، معرفی کلیدهای با مشخصه کلیدزنی بهتر مثل ماسفت و igbt، معرفی ساختارهای مختلف مبدلهای الکترونیک قدرت و ورود میکروالکترونیک…
📶 علم الکترونیک قدرت از سال 1958 تا امروز یک مسیر تکاملی را پیموده و امروزه به عنوان یک فناوری بالغ شناخته میشود. تا امروز 3 نسل از الکترونیک قدرت طی شده، نسل 1 با ظهور ادوات حالت جامد و معرفی دیود و تریستورها آغاز شد. نسل 2 با پیشرفت در فناوری های کنترلی، مباحث مدولاسیون، معرفی کلیدهای با مشخصه کلیدزنی بهتر مثل ماسفت و igbt معرفی ساختارهای مختلف مبدلهای الکترونیک قدرت و ورود میکروالکترونیک به این علم به اوج تکامل خود رسید. نسل 3 با معرفی کلیدهای نیمه هادی پهن باند مثل کلیدهای Sic و Gan آغاز شد که امکان کلیدزنی با فرکانسهای بسیار بالاتر را موجب شد. به نظر می رسد نیمه هادی های پهن باند (WBG) یکی از فناوری های امیدوارکننده در الکترونیک قدرت است که میتواند یک رشد ناگهانی دیگر را در این علم موجب شود، اما در کنار افزایش سرعت کلیدزنی، چالشهای قابل توجهی مانند تداخل الکترومغناطیسی ایجاد میشود و فناوری WBG را به یک شمشیر دو لبه تبدیل کرده است. در نتیجه نسل 4 الکترونیک قدرت را میتوان به صورت حرکت به سمت طراحی مدارهای با چگالی توان بالا و مجتمع سازی به واسطه استفاده از کلیدهای سریع WBG در کنار رفع مسائل طراحی مربوط به این کلیدها پیش بینی کرد.
#نکات_کاربردي_الکترونيک_قدرت
⚡️ @UTPowerElec
#نکات_کاربردي_الکترونيک_قدرت
⚡️ @UTPowerElec
#دعوت_به_همکاری
📣📣 استخدام مهندس برق الکترونیک
برای کارشناس تحقیق و توسعه
در شرکت دانش بنیان «گروه صنعتی کران» فعال در حوزهی طراحی و تولید بردهای الکترونیکی
🎓 فارغ التحصیل یا دانشجوی در شرف فارغ التحصیلی، رشتهی برق
📅 محدودهی سنی : ۲۰ تا ۲۵ سال
👷♂ امکان استخدام بدون نیاز به سابقهی کار
🪖 تسهیلات امریه سربازی دانش بنیان
🏭 محل کار: محدودهی کریمخان
📧 ارسال رزومه به ایمیل
[email protected]
⚡️ @UTPowerElec
📣📣 استخدام مهندس برق الکترونیک
برای کارشناس تحقیق و توسعه
در شرکت دانش بنیان «گروه صنعتی کران» فعال در حوزهی طراحی و تولید بردهای الکترونیکی
🎓 فارغ التحصیل یا دانشجوی در شرف فارغ التحصیلی، رشتهی برق
📅 محدودهی سنی : ۲۰ تا ۲۵ سال
👷♂ امکان استخدام بدون نیاز به سابقهی کار
🪖 تسهیلات امریه سربازی دانش بنیان
🏭 محل کار: محدودهی کریمخان
📧 ارسال رزومه به ایمیل
[email protected]
⚡️ @UTPowerElec
#دعوت_به_همکاری
📣📣 استخدام مهندس
🙍🏻♂️فارغ التحصیل یا دانشجوی در شرف فارغ التحصیلی در چند رشتههای مهندسی:
برق، مکانیک، صنایع، بازرگانی، پلیمر، شیمی
📅 سن : از 21 تا 30 سال
🧩فعالیت صنعتی در کارخانه، حوزهی کاری: محصولات پلاستیکی
👷♂ امکان استخدام بدون نیاز به سابقهی کار
🎓 همراه با دورهی کارآموزی ومهارت آموزی
🏭 محل کار: شهرک صنعتی بهارستان، کرج
📌 ارسال رزومه به ایمیل
[email protected]
⚡️ @UTPowerElec
📣📣 استخدام مهندس
🙍🏻♂️فارغ التحصیل یا دانشجوی در شرف فارغ التحصیلی در چند رشتههای مهندسی:
برق، مکانیک، صنایع، بازرگانی، پلیمر، شیمی
📅 سن : از 21 تا 30 سال
🧩فعالیت صنعتی در کارخانه، حوزهی کاری: محصولات پلاستیکی
👷♂ امکان استخدام بدون نیاز به سابقهی کار
🎓 همراه با دورهی کارآموزی ومهارت آموزی
🏭 محل کار: شهرک صنعتی بهارستان، کرج
📌 ارسال رزومه به ایمیل
[email protected]
⚡️ @UTPowerElec
❇️ نمونه ای از یک مدار اصلاح ضریب توان (PFC) غیرفعال (Passive)
در کاربردهای با یکسوساز ورودی برای اصلاح ضریب توان و THD و تامین کردن الزامات شبکه، بایستی حتما از مدارات PFC بهره برد. مدار PFC کمک میکند، شبکه به جای کشیدن جریان سوزنی (ناشی از یکسوساز و خازن یکسوساز بزرگ) و ایجاد Voltage Sag، یک جریان نزدیک به سینوسی و تقریبا همفاز با شبکه بکشد. PFC ها نیز به دو دسته اصلی پسیو و اکتیو تقسیم بندی میشوند که PFCهای اکتیو دارای سوئیچینگ هستند که در پست های آینده به ساختارهای آن خواهیم پرداخت. در شکل پست، یک نمونه ساده از مدار PFC پسیو نشان داده شده است. این مدار ساده ترین مدل PFC برای اصلاح ضریب توان است. در این مدار از یک ساختار دو برابرکننده ولتاژ استفاده شده است. این ساختار با برق 110 ولت AC معمولا کار میکند. سلف ورودی L به بهبود ضریب توان کمک می کند و منجر به پیوسته تر شدن جریان ورودی میشود. از آنجایی که مدار PFC پسیو در فرکانس شبکه (50 یا 60 هرتز) کار می کند، یک سلف و خازن بزرگ ضروری است.
#نکات_کاربردي_الکترونيک_قدرت
⚡️ @UTPowerElec
در کاربردهای با یکسوساز ورودی برای اصلاح ضریب توان و THD و تامین کردن الزامات شبکه، بایستی حتما از مدارات PFC بهره برد. مدار PFC کمک میکند، شبکه به جای کشیدن جریان سوزنی (ناشی از یکسوساز و خازن یکسوساز بزرگ) و ایجاد Voltage Sag، یک جریان نزدیک به سینوسی و تقریبا همفاز با شبکه بکشد. PFC ها نیز به دو دسته اصلی پسیو و اکتیو تقسیم بندی میشوند که PFCهای اکتیو دارای سوئیچینگ هستند که در پست های آینده به ساختارهای آن خواهیم پرداخت. در شکل پست، یک نمونه ساده از مدار PFC پسیو نشان داده شده است. این مدار ساده ترین مدل PFC برای اصلاح ضریب توان است. در این مدار از یک ساختار دو برابرکننده ولتاژ استفاده شده است. این ساختار با برق 110 ولت AC معمولا کار میکند. سلف ورودی L به بهبود ضریب توان کمک می کند و منجر به پیوسته تر شدن جریان ورودی میشود. از آنجایی که مدار PFC پسیو در فرکانس شبکه (50 یا 60 هرتز) کار می کند، یک سلف و خازن بزرگ ضروری است.
#نکات_کاربردي_الکترونيک_قدرت
⚡️ @UTPowerElec